LG 반도체 출신 1600조+ 시총 삼성전자 전영현 프로필 & 수상 고향 부인 재산 이력

‘미스터 반도체’로 불리는 삼성전자 전영현 부회장은 과거 LG반도체 출신으로 삼성전자 메모리사업부장을 지낸 대표적인 반도체 전문가입니다.

삼전 내에서 조직 싸움에 밀려 2017년부터 반도체 사업을 떠나 삼성SDI 를 이끌었지만 삼성 반도체의 위기에 다시 구원투수로 복귀해 사상 최대의 실적을 이끌고 있는 삼성전자 전영현 대표이사입니다.

삼성전자 HBM 제품이 엔비디아 품질 테스트를 통과하지 못하자, 복귀하자마자 가을 “D램 회로 설계를 전면 재검토하라”는 지시를 내린 것으로 알려졌습니다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직 적층해 만드는 구조인 만큼, 개별 D램의 성능과 설계 기술이 핵심 경쟁력으로 평가됩니다.

10나노급 4세대(1a) D램 회로 일부를 다시 설계하도록 지시하는 강수를 둔 끝에 부진했던 삼성 반도체 사업을 성공적으로 이끌었습니다.

삼성 특유의 토론 문화를 되살리기 위해 ‘C.O.R.E. 워크’도 도입하며 조직 혁신을 시도하고 있습니다.

삼성전자 노조 파업을 앞두고 결단을 주목받고 있는 삼성 전영현 부회장입니다.

LG 반도체 출신 1000조+ 시총 삼성전자 전영현 프로필 & 수상 고향 부인 재산 이력
LG 반도체 출신 1000조+ 시총 삼성전자 전영현 프로필 & 수상 고향 부인 재산 이력

1000조 + 삼성 반도체의 수장 전영현 대표 이사

1960년 12월 20일생으로 서울 배재고등학교를 졸업한 뒤 한양대학교 공과대학 전자공학과에서 학사 학위를 취득하였습니다. 이후 한국과학기술원(KAIST)에서 전자공학 석사(1986년)와 박사(1989년) 학위를 잇달아 취득했습니다. 연세대학교 경영학 과정도 이수하며 기술 전문성에 더해 경영 역량까지 겸비한 기업인입니다.

1991년 LG반도체 D램 개발팀에서 연구원으로 사회에 첫발을 내디뎠고 반도체 설계 분야의 실무 전문가로 경력을 쌓았습니다. D램 설계와 개발 분야에서 탄탄한 실무 역량을 쌓던 중, 1997년 외환위기 이후 진행된 반도체 산업 빅딜로 LG반도체가 현대전자에 합병되면서 삼성전자에 합류했습니다.

이후 2000년 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실에 합류하며 삼성 반도체와 인연을 맺었습니다. 삼성전자 입사 후 2001년 D램 설계팀장을 맡은 전영현 부회장은 2006년 D램 개발실장 및 설계실장을 거쳐, 2009년 D램 개발실장(부사장)으로 승진하였습니다.

2010년에는 플래시메모리 개발실장을 역임하며 낸드플래시 기술 경쟁력 확보에 기여하였고, 2012년에는 전략마케팅팀장으로 영역을 넓혔습니다. 2014년 메모리사업부장(사장)으로 취임하면서는 20나노 및 10나노 D램을 세계 최초로 출시하고, 3D V-NAND 플래시메모리의 본격 양산을 이끌며 삼성전자 메모리 반도체의 글로벌 1위 위상을 확립하는 데 핵심적 역할을 수행하였습니다.

당시 전영현 부사장이 있었던 이 시기 삼성전자는 인텔을 제치고 처음으로 반도체 매출 글로벌 1위를 달성하였습니다. 하지만 삼성전자 내에서 계파가 갈리면서 엔지니어 출신으로 설 자리를 잃고 2017년에는 삼성SDI 대표이사 사장으로 자리를 옮겨 전지(배터리) 사업이라는 새로운 도전에 나섰습니다.

취임 첫 해 2년 연속 영업손실에 빠져 있던 삼성SDI를 흑자 전환시켰으며, 전기차 배터리와 ESS 사업을 집중 육성하여 글로벌 배터리 주요 공급사로 도약시켰습니다. 2019년에는 배터리 화재 사고 이후 약 1700억 원 규모의 특수 소화시스템을 도입하는 결단을 내리기도 하였습니다.

2021년 부회장 겸 이사회 의장으로 승진하였고, 2023년 삼성전자 미래사업기획단 초대 단장(부회장)으로 위촉되어 그룹 차원의 미래 기술과 신사업 발굴을 담당하였습니다. 2024년 5월, HBM 경쟁력 저하와 파운드리 부진으로 위기에 처한 삼성전자 DS부문의 수장으로 전격 복귀하였습니다.

30년 만에 DS부문장과 메모리사업부장을 동시에 겸직하는 이례적 인사를 받았으며, 복귀 직후 D램 회로 설계의 전면 재검토, HBM 전담 조직 신설, 보고 체계 단순화 등 대규모 조직 개편을 단행하였습니다. 아울러 ‘C.O.R.E. 워크(Communicate, Openly Discuss, Reveal, Execute)’라는 조직문화 혁신 방안을 도입하여 삼성 특유의 토론 문화 부활을 추진하였습니다.

2024년 10월에는 삼성전자 잠정 실적 발표와 함께 이례적인 입장문을 통해 “시장의 기대에 미치지 못하는 성과로 근원적인 기술 경쟁력과 회사의 앞날에 대해 걱정을 끼쳐 송구하다”는 사과의 뜻을 공개적으로 밝혔습니다. 당시 삼성전자 경영진이 공개적으로 사과문을 낸 이례적인 사례로 업계의 주목을 받았습니다.

2025년 3월 주주총회에서 대표이사로 최종 선임된 이후에는 닌텐도, 테슬라 AI 칩셋, 애플 이미지센서 등 주요 고객사 수주를 연이어 확보하며 3분기 사상 최대 실적을 이끌었고, 구글에 HBM을 60% 이상 납품하는 성과도 거두었습니다. 2026년에는 반도체 활황기를 맞아 시총 1500조를 돌파하며 2000조를 바라보는 초거대 기업으로 성장을 성장시켰습니다.

덩치만 크고 반응은 느린 초식 공룡 같다“는 말로 방만하고 관료화된 삼성 반도체 조직 문화를 향한 직격탄을 날렸습니다. 이후 삼성 반도체의 문제를 직시하고 ‘삼성 반도체 신화의 설계자’에서 ‘위기의 삼성 DS 구원투수’로 새로운 역사를 쓰고 있습니다.

전영현 삼성전자 정보

  • 설립 1969년 1월 13일
  • 국가 대한민국
  • 산업 전자, 반도체, 정보통신, 가전
  • 반도체 디바이스솔루션(DS) 부문 – 메모리사업부, 시스템LSI사업부, 파운드리사업부
  • 창업자 이병철
  • 경영진 전영현 대표이사 부회장(DS부문장), 노태문 대표이사 사장(DX부문장)
  • 이사회 신제윤 이사회 의장
  • 본사 소재지 경기도 수원시 영통구 삼성로 129 (삼성 디지털시티)
  • 링크 https://www.samsung.com/sec/

전영현 삼성전자 DS & DX

삼성전자는 크게 디바이스솔루션(DS) 부문과 디바이스경험(DX) 부문으로 사업을 운영하고 있습니다. 최근 파업으로 주목받고 있는 DS 부문은 메모리사업부, 시스템LSI사업부, 파운드리사업부로 구성됩니다. 메모리사업부는 D램과 낸드플래시를 중심으로 세계 최고 수준의 메모리 반도체를 생산하며, HBM(고대역폭메모리) 등 AI 시대에 핵심적인 제품군을 공급하고 있습니다.

시스템LSI사업부는 스마트폰용 애플리케이션 프로세서(AP), 이미지센서, 통신 반도체 등을 개발·생산합니다. 파운드리사업부는 고객이 설계한 반도체를 수탁 생산하는 사업으로, 2나노 및 1나노 공정 경쟁력 확보를 목표로 투자를 지속하고 있습니다.

DX 부문은 모바일경험(MX)사업부와 영상디스플레이(VD)·생활가전(DA)사업부로 구성됩니다. MX사업부는 갤럭시 스마트폰, 태블릿, 웨어러블 기기를 담당하며, VD·DA사업부는 QLED·OLED TV, 냉장고, 세탁기 등 프리미엄 가전 제품을 아우릅니다. 삼성전자는 반도체부터 완성품 가전까지 전 영역을 수직 계열화한 종합 전자기업으로서 글로벌 시장을 선도하고 있습니다.

삼성전자는 반도체, 스마트폰, 가전 등을 아우르는 글로벌 전자기업으로 2025년 연결 기준 삼성전자의 연간 매출은 약 333조 원에 영업이익 43.5조원을 기록했습니다. 전 부회장의 복귀 이후 DS부문(반도체)은 메모리 반도체 가격 회복과 함께 실적 반등을 주도하였고, DX부문(모바일·가전)은 갤럭시 시리즈와 프리미엄 가전 라인업을 앞세워 안정적인 실적을 이어갔습니다.

DS부문장으로 복귀한 2024년 이후 닌텐도, 테슬라, 애플 등 주요 고객사 수주를 잇달아 확보하였으며, 2026년 1분기에는 결 기준으로 매출 133.9조원, 영업이익 57.2조원의 사상 최대 실적을 기록하는 성과를 올렸습니다. 삼성전자는 메모리 활황기에 힘입어 연매출 500조원에 영업이익 200조원을 기대하고 있습니다.

삼성전자 전영현 수상 및 이력

  • 2008년 IR52 장영실상 장관상, 대한민국 기술대상 대통령상
  • 2011년 과학기술훈장 웅비장
  • 2018년 KAIST 자랑스런 동문상
  • 2021년 금탑산업훈장 (배터리 산업의 날)

※ 주요 이력

  • 1991년 – LG반도체 D램 개발팀 입사
  • 2000년 – 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실 입사
  • 2001년 – 삼성전자 메모리사업부 D램 설계팀장
  • 2006년 – 삼성전자 DS부문 메모리사업부 D램 개발실장·전무
  • 2009년 – 삼성전자 DS부문 메모리사업부 D램 개발실장·부사장
  • 2010년 – 삼성전자 DS부문 메모리사업부 플래시개발실장·부사장
  • 2012년 – 삼성전자 DS부문 메모리사업부 전략마케팅팀장·부사장
  • 2014년 – 삼성전자 DS부문 메모리사업부장·사장
  • 2017년 – 삼성SDI 대표이사·사장
  • 2021년 – 삼성SDI 이사회 의장·부회장 / 금탑산업훈장 수훈
  • 2023년 – 삼성전자 미래사업기획단장·부회장
  • 2024년 5월 – 삼성전자 DS부문장·부회장 (메모리사업부장·SAIT 원장 겸직)
  • 2025년 3월 – 삼성전자 대표이사 부회장 (정기 주주총회 최종 선임)
  • 2025년 11월 – 삼성전자 대표이사 유임·DS부문장 및 메모리사업부장 겸직 (SAIT 원장직 사임)
삼성전자 전영현 대표이사
삼성전자 전영현 대표이사

삼성전자 전영현 프로필

  • 영어 Jun Young-hyun | 한자 全永鉉 | 본명 전영현
  • 생년월일 1960년 12월 20일 (만 66세)
  • 고향 – | 국적 대한민국
  • 키 – | 몸무게 – | 혈액형 – | MBTI – | 종교 –
  • 학력 배재고등학교 졸업 → 한양대학교 공과대학 전자공학과 학사(1984) → 한국과학기술원(KAIST) 전자공학 석사(1986) → 한국과학기술원(KAIST) 전자공학 박사(1989) → 연세대학교 경영학 수료
  • 군대 –
  • 가족 부인 (아내) – , 자녀
  • 소속사 삼성전자(대표이사 부회장)
  • 개인 SNS –
  • 참고 나무위키 / 위키백과

댓글 남기기