중국 DUV 노광장비 아이셩나 전자기술 딩궁밍 & ASML EUV 노광장비 벽을 넘을까 ( 아이솅나 Aishengna)

아이셩나 전자기술의 중국 DUV 노광장비 양산 소식과 함께 전 세계 주식시장이 충격에 휩쌓였습니다.

특히 삼성전자 – 하이닉스 반도체 투톱이 시장의 대부분을 차지하고 있는 한국 코스피와 네덜란드ASML이 가장 큰 충격을 받았습니다.

중국 노광장비를 개발한 회사가 바로 아이솅나로 딩궁밍 대표가 1.5조의 자본금으로 설립한지 단 3년 만에 수십년이 걸릴거라는 예상을 깼습니다.

딩궁밍 아이셩나 DUV 노광장비는 ASML EUV 벽을 넘을 수 있을까 한 번 알아보겠습니다.

중국 DUV 노광장비 아이셩나 전자기술 딩궁밍 & ASML EUV 노광장비 벽을 넘을까 ( 아이솅나 Aishengna)

상하이 아이셩나 전자기술 딩궁밍 대표

딩궁밍은 중국 상하이 소재 반도체 장비 기업인 상하이아이셩나전자과기집단유한공사(上海爱晟纳电子科技集团有限公司)의 법정대표인이자 집행이사입니다. 상하이아이셩나전자과기집단유한공사는 2023년 8월 16일 등록자본금 인민폐 700억 100만 위안(한화 1.5조)에 설립됐습니다.

상하이아이셩나전자과기집단유한공사는 2026년 7월 로이터통신 보도를 통해 중국이 자체 개발한 몰입식 심자외선 DUV 노광장비를 양산하기 시작했다는 사실이 알려지면서 주목받았습니다. 아이셩나는 중국 내 유수의 화웨이와 연관된 노광 장비 스타트업인 위량성(宇量昇)과 상하이 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 그룹(SMEE)의 기술 인력을 흡수하여 중국산 액침 DUV 장비의 개발과 생산을 주도했습니다.

아이셩나가 흡수한 위량성은 화웨이가 투자한 장비 회사 신카이라이 테크놀로지(SiCarrier)의 관계사로, SMEE는 중국 유일의 노광 장비 제조사로서 수년간 국산화를 추진해 왔습니다. 중국 반도체는 ASML의 EUV 장비 도입이 봉쇄되고, DUV 장비마저 네덜란드 정부의 수출 허가 제한에 묶인 상황에서 생산 시설을 늘리는 데도 어려움을 겪고 있었습니다.

하지만 이제 자체 생산이 가능해짐에 따라서 중국 반도체 산업의 자급자족은 물론이며 향후 반도체 시장의 판도룰 바꿀 수도 있는 일대 사건입니다. 아이솅나 노광장비는 올해 5대를 생산해 중국 대표 반도체 제조사인 SMIC(중신궈지), 화훙반도체, 창신메모리(CXMT)에 인도될 예정이며 2027년에는 20대로 규모를 늘릴 예정입니다.

딩궁밍 아이솅나 중국 DUV 노광장비와 ASML EUV

노광장비란, 빛을 이용해서 웨이퍼에 나노 단위의 머리카락 한올의 10억분의 1에 불과한 회로를 새기는 장비입니다. 심자외선 DUV 노광장비는 190~250nm 파장의 자외선을 사용하는 것으로 ArF(193nm), KrF(248nm) 등으로 대당 수천억원인 네덜란드 ASML EUV 노광장비 13.5nm에 비하면 기술격차가 상당히 큽니다.

실제로 중국이 자체 생산했다는 액침식 DUV 노광장비는 실제 양산을 위한 추가 테스트가 필요하며 EUV는 커녕 ASML의 노광장비와도 기술 격차가 큰 상황입니다. 다만 아이솅나 노광장비가 성공적으로 자리잡으면 미국 등 서방 정부가 외국산 노광장비의 대중국 수출이나 관련 유지보수 서비스를 추가로 제한하는 것이 의미가 없어지게 됩니다.

여기서 잠깐 노광장비 DUV와 EUV 차이를 설명하면 파장이 짧을수록 훨씬 촘촘한 회로를 새길수 있습니다. 193nm의 중국 DUV 노광장비는 2000년대 후반 수준으로 초정밀도 수율 신뢰성 면에서는 아직 현격한 격차가 존재하며 많이 거론되는 2나노, 3나노 같은 최점단 반도체 회로나 칩에는 사용할 수 없는 기술입니다.

그런데 왜 중국 DUV 노광장비 개발이 주목받느냐?

동시에 여러개의 회로를 새기는 방식의 멀티 패터닝을 고도화하게 되면 7나노 급까지 생산이 가능합니다. 7나노 급은 삼성전자가 2018년 세계 최초로 EUV로 7나노 LPP 공정 양산에 성공한 기술로 HBM 4 같은 최첨단 반도체는 불가능하지만 범용반도체라고 불리는 DDR4 등은 모두 10나노급으로 생산됩니다. D램 창신(CXMT), 낸드플래시 업체 양쯔(YMTC) 등의 주력제품들은 양산되는 DUV 노광장비로 생산이 가능해집니다.

이뿐만이 아닙니다.

중국의 파운드리 1위 업체인 SMIC는 7나노급 칩을 생산할 수 있고 2위임 화홍반도체도 7나노 공정을 준비 중입니다. 화웨이가 개발한 어센드910C 그래픽카드와 스마트폰인 기린 900S, 노트북용 기린 X90 등도 7나노 공정으로 생산되고 있습니다.

알려진 바에 따르면 SMIC의 7나노 수율은 40~50% 수준에 머무르고 있는데 반해 TSMC는 90%가 넘는 수율을 자랑합니다. 수율이 높을 수록 생산효율이 대폭 올라가고 생산단가가 낮아지면서 돈을 더 벌게 되는 반도체 업종 특성상 지금까지는 액침 DUV 노광장비도 제한으로 인해서 어려움을 겪었지만 자체 생산한 액침 DUV 노광장비 최적화가 끝나면 생산단가를 급속도로 낮출 수 있게 됩니다.

이때문에 중국 LLM 모델 혁명을 주도한 량원펑 – 뤄푸리 등에 버금가는 충국 최첨단 산업의 혁명으로 주목받는 것이 딩궁밍입니다.

중국 액침 DUV를 만든 아이솅나가 EUV를 만들수 있을까?

아쉽게도 DUV 노광장비와 ASML EUV 노광장비는 기술적으로 현격한 차이가 있습니다. 여기에 13.5nm의 극자외선의 빛을 얻는 것이 기술의 핵심인데 인공태양인 레이저 생성 플라즈마(LPP) 방식은 대부분 특허로 묶여 있어서 극복하기 쉽지 않습니다.

노광장비의 핵심인 독일 자이스(ZEISS)가 만든 특수거울도 수출 통제 대상으로 사용하지 못합니다. 이때문에 중국은 EUV 기술 개발을 도전하고 있지만 13.5nm 파장을 빛을 만드는데는 성공했지만 빛을 정밀하게 제어하면서 반도체 회로를 찍어야 하는 자이스의 특수거울을 넘지 못하고 있습니다.

(독일 자이스의 거울은 무려 1500개 이상의 특허를 보유하고 있어서 현실적으로 단시간에 대체 기술을 확복하는 것은 불가능에 가깝습니다. ASML을 세계 최고의 반도체 노광장비 업체로 만들어 준 기술로 훔친다고 해도 특허로 인해서 합법적인 생산이 불가능 합니다. 더 궁금하신 분은 나무위키를 참고하세요. )

독일 자이스 나무위키

그렇다고 해도 딩궁밍의 상하이 아이셩나 전자과기집단유한공사가 만든 액침 DUV는 놀라운 일로 삼성전자와 하이닉스, 마이크론의 매출 절반을 차지하는 D램을 만들 수 있습니다. 그것도 700억 위안 (한화 1.5조)만으로 양산에 성공하는 기적같은 일을 만들었습니다.

최첨단 반도체는 당장은 힘들겠지만 중국의 반도체 자급자족이라는 일명 반도체 궐기의 핵심인 만큼 앞으로 지켜보시길 바랍니다.

중국 ArF 이머전 DUV 노광장비 ASML EUV 기술적 차이와 반도체 주가

중국 노광장비 아이솅나 전자기술 정보

上海爱晟纳电子科技集团有限公司 (Shanghai Aishengna Electronic Technology Group Co.Ltd)
설립: 2023년 8월 16일
국가: 중국
산업: 과학기술보급 및 응용서비스업, 반도체소자 전용설비 제조업
창업자: 딩궁밍
경영진: 딩궁밍(집행이사), 샤쥔(감사), 마오칭샹(재무책임자)
통일사회신용코드 91310000MACWAK9N28
본사 소재지: 중국(상하이) 자유무역시험구 민동로 500호 1동 3층
링크:

주요 사업은 반도체소자 전용설비 제조 및 판매, 전자전용설비 제조 및 판매, 전자전용재료 연구개발 및 판매, 전자부품 제조 및 소매, 집적회로 제조 및 판매, 전자측정기기 제조 및 판매, 스마트 기초제조장비 제조, 광학기기 제조, 기계설비 연구개발 및 판매, 화물수출입, 기술수출입 등입니다.

액침식 심자외선(DUV) 노광장비의 연구개발 및 생산에 성공함에 따라 SMIC, 화훙반도체, 창신메모리 등 중국 주요 반도체 제조사의 주요 파트너로 떠올랐습니다.